近日,在中国电子学会主办的“2013年度中国电子学会科学技术奖评选”活动中,济南市华芯半导体有限公司的 “大容量动态随机存储器(DRAM)芯片”项目荣获科技进步二等奖。
华芯DRAM芯片的成功研制,填补了国内空白,打破国外垄断。该芯片是华芯半导体有限公司所研发出的国内首款与世界先进水平同步的DRAM芯片,其技术水平已达到国际先进水平。与国外同类芯片相比,该芯片具有容量大、功耗低、可靠性高的优点,成为国家自主知识产权集成电路体系的重要支撑。除此之外,本芯片在高可靠高性能单元阵列设计、多电压供电技术、局部阵列自刷新技术、温度补偿自刷新技术等方面也具有突破性的创新。